国家存储器基地项目武汉开工 总投资240亿美元
2017-01-03 09:41:00 来源：新华社
原标题：国家存储器基地项目在武汉开工
新华社武汉1月2日电（记者李思远、陈俊）总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。2020年全面建成后，年产值将超过100亿美元，实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。
此次开工的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片／月，年产值将超过100亿美元。
据介绍，国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展。
存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。
编辑：贾斯曼
关键词：存储器;开工;总产能;总投资;项目
（记者喻思娈）记者6日从中国科学技术大学获悉：该校潘建伟和包小辉教授等采用冷原子系综成功研制出百毫秒级高效量子存储器，为远距离量子中继系统的构建奠定了坚实基础。
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2012年，潘建伟、包小辉等首次实现了毫秒级的高效量子存储器，但该存储时间仍与远距离量子中继的实际需求相距较远。该实验的重要意义在于，第一次将存储寿命及读出效率提升到能够满足远距离量子中继的实际需求。
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中国科技大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室李传锋研究组，在固态系统中首次实现对三维量子纠缠态的量子存储，保真度高达99.1%，存储带宽达1千兆赫，存储效率为20%，而且该存储器具有对高达51维的量子态的存储能力。
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