央广网上海9月10日消息（记者何智康）功率器件是电能转换、控制与调节的核心芯片，是电力电子装置的基础。碳化硅是第三代宽禁带半导体材料的代表，具备高耐压、低损耗、耐高温以及高频特性，是实现电能高效转换的核心基础材料，广泛支撑新能源汽车、光伏储能、特高压输电等关键领域的技术迭代。

近日，一场碳化硅前沿技术分享暨成果发布会在上海举行，碳化硅超级结MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品全球首发。业内人士介绍，这意味着中国厂商在下一代碳化硅技术竞争中，迈入从“跟随对标”走向“原创突破”的全新阶段。

碳化硅前沿技术分享暨碳化硅超级结MOSFET成果发布会现场（央广网发 受访者供图）

超级结技术是什么？功率器件类似一座电闸，闸门打开时电流需要宽大顺畅的通道，减少损耗；闸门关闭时，要靠半导体材料承受高压，防止击穿。通道越宽，高压越容易横向渗透击穿两侧材料；而通道越窄，电流阻力变大，损耗增加，转换效率变低。“这不是简单‘多加几根柱子’，而是一架精密天平：P柱与N柱两侧的电荷必须精准平衡，哪怕极小偏差，也会打破电场分布，影响器件耐压和性能。制造过程就像‘在微米世界里盖一栋高楼’。”瑶芯微电子联合创始人、CTO陈开宇说。

此次发布的核心成果，正是源自瑶芯微电子与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队在碳化硅超级结技术上的深度产学研合作，双方历时五年联合技术攻关，协同晶圆代工厂芯联集成进行工艺平台开发，率先实现这一前沿技术从实验室走向产业化的突破。正如瑶芯微电子创始人、董事长郭亮良博士所说：“最近几年，无论学术界还是产业界都亟需寻找下一个10年的技术路线，碳化硅超级结技术虽然已被广泛研究，但面临的很多技术瓶颈仍未攻克。历经艰苦攻关，我们在接二连三的问题中迎难而上，找到了解决方案并最终实现了产业化落地。”

该原创技术的突破，具备重要的技术迭代价值与产业赋能价值。实测数据显示，该产品实现1635V超高耐压，高温、常温导通电阻大幅优化，高温电流密度较国际顶级水平提升166%，功率密度提升81%，逼近碳化硅材料一维物理极限，同时解决了器件高温性能漂移难题。“这款1200V碳化硅超级结MOSFET，属于全球范围内率先完成产品化验证的碳化硅超级结器件。”郝跃院士评价。