央广网合肥10月19日消息（记者鲍玉婵）10月18日，在南京举行的2026年全国电子显微学学术年会上，国仪量子技术（合肥）股份有限公司自主研发的200kV场发射透射电镜TEM-F200正式对外发布。

国产200kV透射电镜发布（央广网发 国仪量子供图）

这一产品的信息分辨率达到0.1纳米，点分辨率达到0.25纳米。按照企业公布的数据，多项关键性能指标达到国际先进水平，并已具备量产交付能力。这意味着，国产高端透射电镜正从研制突破，加快迈向产品化交付阶段。

透射电镜被广泛用于半导体、先进材料、新能源和生命科学等领域，是其中的关键分析工具。它利用高能电子束穿透样品，通过采集透射、散射和衍射电子进行成像，能够在原子尺度上表征晶体结构、界面和缺陷。

长期以来，全球透射电镜市场由少数国际厂商占据。国内用户在设备采购、关键部件供应、维修维护、软件适配和应用服务等方面，外部依赖程度较高。高端透射电镜实现国产化，有助于提升科学仪器供应链的自主可控水平。

国仪量子研发人员在调试200kV场发射透射电镜TEM-F200（央广网发 国仪量子供图）

在半导体领域，随着芯片结构日趋复杂，透射电镜在先进制程研发和芯片问题定位中的作用日益突出。芯片制造涉及多层薄膜、微小器件结构以及复杂的材料界面，透射电镜可对芯片截面进行高分辨成像，帮助研究人员观察晶体排列、薄膜厚度、界面质量以及位错、空洞、杂质等微观缺陷。结合微区成分分析，还能为工艺验证、器件研发、失效分析和可靠性评估提供依据。

不过，要把一台200kV级场发射透射电镜真正做出来，并不只是把加速电压提上去那么简单。这类设备对电子枪、高压电源、电子光学、探测器和整机控制等多个系统的协同稳定性要求极高，国仪量子团队通过自主研发，完成了从核心模组、控制分析软件、系统集成到整体优化的全流程。

据国仪量子董事长贺羽介绍，200kV透射电镜具有更高的加速电压，电子束动能更高、波长更短，相对低电压平台，对一定厚度范围内的高密度样品穿透能力更强；在合适薄区样品和相应分析附件配合下，可以更好地支持半导体、先进材料等领域的高分辨成像、界面与缺陷分析以及纳米尺度微区成分分析。“它的研发难点，不是简单提高加速电压，而是要实现高压电源、电子枪、电子光学、探测器、软件和整机控制等多个系统的稳定协同。”贺羽说，经过持续攻关，TEM-F200已具备量产交付能力，并建立了全面的客户服务体系。

中国仪器仪表学会分析仪器分会总干事吴爱华表示，200kV透射电镜可应用于材料研发、芯片微观结构与失效分析、生物医学和产品质量控制等科研与产业领域。国仪量子200kV场发射透射电镜的发布，将进一步丰富国内高端科学仪器供给，提升分析测试技术的自主保障能力。