韩国三星电子公司6月30日宣布，已开始量产3纳米芯片。

3纳米芯片基于全环绕栅级(Gate-All-Around)技术。三星电子说，相对于其5纳米芯片，初代3纳米芯片可减少45%的能耗，提升23%的性能并减少16%的面积。全环绕栅级技术可最终减少多达50%的能耗，提升30%的性能并减少35%的面积。

三星晶圆代工业务负责人崔时永（音译）说：“我们将继续研发创新技术，努力快速获取成熟技术。”

全球最大芯片代工企业中国台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）说，将于今年下半年开始量产3纳米芯片。

作为全球最大存储芯片制造商，三星电子说，其2纳米芯片仍在研发初期，计划2025年量产。