三星电子西安半导体工厂的新生产线内生产出的NAND闪存产品（央广网记者 刘涛 摄）

　　央广网西安5月9日消息（记者刘涛 温超）总投资70亿美元的我国最大单笔外商投资项目——三星（中国）半导体有限公司今天在西安投产。在这里，将生产世界上最新型的10纳米级闪存芯片。出席投产仪式的工业和信息化部部长苗圩表示，这座世界上最先进的半导体工厂将对中国半导体行业的发展产生重要的引领作用。

　　2012年9月12日，三星存储芯片项目正式在西安开工建设，这也是韩国三星电子有史以来最大的海外投资项目。项目建设历时20个月，正式投入生产后，预计将提供2000多个就业机会，并拉动100多个相关配套企业进驻西安,使西安形成一个过千亿元的半导体产业集群。

　　即将投产的产品，是由三星在去年成功开发的最新型闪存芯片V-NAND。新型的芯片将目前以平面为主的芯片设计，旋转90度，用立体堆叠的方式扩大存储容量，是一项完全崭新的技术。

　　三星电子存储芯片事业部社长金奇南表示，在同行业中，V-NAND只有三星电子一家开始量产。与此前新一代20纳米级NAND相比，V-NAND读写速度提高了2倍以上，而其最大的亮点就在于将半导体的使用寿命最大延长了10倍。与此同时，它还将耗电量减少了50%，大大降低了能耗。在西安生产这款尖端技术产品，意味着中韩两国的高端人才将共同为新一代半导体技术的发展而努力，具有划时代的伟大意义。

　　据介绍，2014年，中国将生产全世界32%的智能手机、24%的电脑和23%的液晶电视。单在半导体市场，2014年中国已占据全世界半导体市场的48%，明年有望突破世界半导体产品消费量50%的目标。